Январь
Пн   4 11 18 25  
Вт   5 12 19 26  
Ср   6 13 20 27  
Чт   7 14 21 28  
Пт 1 8 15 22 29  
Сб 2 9 16 23 30  
Вс 3 10 17 24 31  






Российский ученый открыл способ создания энергонезависимой электронной памяти

«Скирмионы (топологически нетривиальные конфигурации магнитного спина с вихреподобной структурой) могут стать основой будущих магнитных технологий памяти», - цитирует ДФГУ в своем сообщении слова господина Третьякова.

По словам ученого, «современные жесткие диски для хранения информации используют магнитные домены, чей минимальный физический размер уже достиг 100 нм», в то время как скирмионы могут поддерживать более высокую плотность.

«Такая память будет сохранять информацию даже при выключении питания», - подчеркнул Олег Третьяков.

О существующих технологиях производства электронной памяти читайте в материале «Ъ» «В России будет построена первая в мире фабрика микросхем памяти MRAM по технологии 65 нм».

Arcprojects.ru © Из-за рубежа, события в мире и в России.