В Новосибирске ученые из Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН заявили о создании самой быстрой флешки в мире. Согласно результатам исследований, новая флеш-карта по быстродействию и времени хранения данных может превосходить аналоги, сообщает «Наука в Сибири».
При создании новой флешки используется материал мультиграфен, слой которого «зажимается» между двумя другими слоями: туннельного и блокирующего. Первый изготавливается из оксида кремния, второй - из диэлектрика.
Другие флеш-накопители сконструированы подобным образом, но вместо слоя из мультиграфена в них использован кремний. Мультиграфеновый же слой, благодаря особенностям материала, позволяет сделать блокирующий и туннельный слои более тонкими, из-за чего возрастает скорость чтения флешки.
Как отмечают ученые, выпущено лишь несколько образцов новой флеш-памяти, которые сейчас тестируются. Чтобы наладить массовое производство, необходимо построить завод стоимостью около 5 миллиардов долларов.